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SE12DD-M3/I
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Descrição: DIODE GEN PURP 200V 3.2A TO263AC

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
20 μA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,15 V @ 12 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
eSMP®
Capacidade @ Vr, F:
90pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-263AC (SMPD)
Tempo de recuperação inverso (trr):
3 μs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variante
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
3.2A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
SE12
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
20 μA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,15 V @ 12 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
eSMP®
Capacidade @ Vr, F:
90pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-263AC (SMPD)
Tempo de recuperação inverso (trr):
3 μs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variante
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
3.2A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
SE12
SE12DD-M3/I
Diodo 200 V 3.2A montado na superfície TO-263AC (SMPD)

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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