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BYV25G-600.127
BYV25G-600.127

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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 5A I2PAK

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 μA @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.3 V @ 5 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
I2PAK (TO-262)
Tempo de recuperação inverso (trr):
60 ns
Mfr:
Semicondutores de WeEn
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
150°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
TO-262-3 conduz por muito tempo, mim ² Pak, TO-262AA
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
5A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
BYV25
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 μA @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.3 V @ 5 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
I2PAK (TO-262)
Tempo de recuperação inverso (trr):
60 ns
Mfr:
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Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
150°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
TO-262-3 conduz por muito tempo, mim ² Pak, TO-262AA
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
5A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
BYV25
BYV25G-600.127
Diodo 600 V 5A através do buraco I2PAK (TO-262)

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

32 componentes eletrônicos mordidos do Oem do microcontrolador,

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