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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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VS-8ETH06-1-M3

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Descrição: Diodo GEN PURP 600V 8A TO262AA

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 μA @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2.4 V @ 8 A
Pacote:
Tubos
Série:
FRED Pt®
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-262AA
Tempo de recuperação inverso (trr):
25 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-262-3 conduz por muito tempo, mim ² Pak, TO-262AA
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
8ETH06
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 μA @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2.4 V @ 8 A
Pacote:
Tubos
Série:
FRED Pt®
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-262AA
Tempo de recuperação inverso (trr):
25 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-262-3 conduz por muito tempo, mim ² Pak, TO-262AA
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
8ETH06
VS-8ETH06-1-M3
Diodo 600 V 8A através do buraco TO-262AA