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PG600M_R2_00001

Detalhes do produto

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Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 6A P600

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1 μA @ 1000 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 6 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
150 pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
P600
Mfr:
Panjit Internacional Inc.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
P600, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1000 V
Corrente - média rectificada (Io):
6A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
PG600
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1 μA @ 1000 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 6 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
150 pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
P600
Mfr:
Panjit Internacional Inc.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
P600, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1000 V
Corrente - média rectificada (Io):
6A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
PG600
PG600M_R2_00001
Diodo 1000 V 6A através do buraco P600