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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

ESH1B

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Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1 μA @ 100 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
900 mV @ 1 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
16pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-214AC (SMA)
Tempo de recuperação inverso (trr):
15 ns
Mfr:
Taiwan Semicondutor Corporaçõ
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-214AC, SMA
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
ESH1
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1 μA @ 100 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
900 mV @ 1 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
16pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-214AC (SMA)
Tempo de recuperação inverso (trr):
15 ns
Mfr:
Taiwan Semicondutor Corporaçõ
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-214AC, SMA
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
ESH1
ESH1B
Diodo de 100 V 1A montado na superfície DO-214AC (SMA)