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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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HER308G-TP

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Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 1000 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 3 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
50 pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-201AD
Tempo de recuperação inverso (trr):
75 ns
Mfr:
Micro Comercial
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
DO-201AD, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1000 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
HER308
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 1000 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 3 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
50 pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-201AD
Tempo de recuperação inverso (trr):
75 ns
Mfr:
Micro Comercial
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
DO-201AD, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1000 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
HER308
HER308G-TP
Diodo 1000 V 3A através do buraco DO-201AD