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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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BAS116HMFHT116

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Descrição: DIODE GEN PURP 80V 215MA SSD3

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
nA 5 @ 75 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,25 V @ 150 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
Automóveis, AEC-Q101
Capacidade @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SSD3
Tempo de recuperação inverso (trr):
3 μs
Mfr:
Semicondutores Rohm
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
150°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
80 V
Corrente - média rectificada (Io):
215 mA
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
BAS116
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
nA 5 @ 75 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,25 V @ 150 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
Automóveis, AEC-Q101
Capacidade @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SSD3
Tempo de recuperação inverso (trr):
3 μs
Mfr:
Semicondutores Rohm
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
150°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
80 V
Corrente - média rectificada (Io):
215 mA
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
BAS116
BAS116HMFHT116
Diodo 80 V 215 mA SSD de montagem de superfície3