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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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BAV21_AY_00001

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Descrição: DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 nA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 100 mA
Pacote:
Corte a fita (os CT) Fita & caixa (TB)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
3pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Tempo de recuperação inverso (trr):
50 ns
Mfr:
Panjit Internacional Inc.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
200 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
Número do produto de base:
BAV21
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 nA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 100 mA
Pacote:
Corte a fita (os CT) Fita & caixa (TB)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
3pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Tempo de recuperação inverso (trr):
50 ns
Mfr:
Panjit Internacional Inc.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
200 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
Número do produto de base:
BAV21
BAV21_AY_00001
Diodo 200 V 200mA através do furo DO-35