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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.3 V @ 8 A
Pacote:
Saco
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
50 pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
150 ns
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
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Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.3 V @ 8 A
Pacote:
Saco
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
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Pacote de dispositivos do fornecedor:
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Tempo de recuperação inverso (trr):
150 ns
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Tecnologia:
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Embalagem / Caixa:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
NTE625
Diodo 200 V 8A através do buraco TO-220-2

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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