Detalhes do produto
Termos do pagamento & do transporte
Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
Estatuto do produto: |
Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: |
1 μA @ 1000 V |
Tipo de Montagem: |
Através do Furo |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): |
1.1 V @ 3 A |
Pacote: |
Caixa |
Série: |
- |
Capacidade @ Vr, F: |
85pF @ 12V, 1MHz |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
Axial |
Tempo de recuperação inverso (trr): |
4 µs |
Mfr: |
Estado Sólido Inc. |
Tecnologia: |
Padrão |
Temperatura de funcionamento - Junção: |
-65°C ~ 200°C |
Embalagem / Caixa: |
Axial |
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): |
1000 V |
Corrente - média rectificada (Io): |
3A |
Velocidade: |
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io) |
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
Estatuto do produto: |
Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: |
1 μA @ 1000 V |
Tipo de Montagem: |
Através do Furo |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): |
1.1 V @ 3 A |
Pacote: |
Caixa |
Série: |
- |
Capacidade @ Vr, F: |
85pF @ 12V, 1MHz |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
Axial |
Tempo de recuperação inverso (trr): |
4 µs |
Mfr: |
Estado Sólido Inc. |
Tecnologia: |
Padrão |
Temperatura de funcionamento - Junção: |
-65°C ~ 200°C |
Embalagem / Caixa: |
Axial |
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): |
1000 V |
Corrente - média rectificada (Io): |
3A |
Velocidade: |
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io) |