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IDH08S120
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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE SIL CARB 1.2KV 7.5A TO220

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
180 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
10,8 V @ 7,5 A
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
380 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO220-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
7.5A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
180 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
10,8 V @ 7,5 A
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
380 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO220-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
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Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
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-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
7.5A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
IDH08S120
Diodo 1200 V 7.5A através do buraco PG-TO220-2

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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