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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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NTE519

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Descrição: DIODO GENÉRICO 100V 150MA DO35

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 75 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 10 miliampères
Pacote:
Saco
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Tempo de recuperação inverso (trr):
8 ns
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
200°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
150 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 75 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 10 miliampères
Pacote:
Saco
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Tempo de recuperação inverso (trr):
8 ns
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
200°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
150 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
NTE519
Diodo 100 V 150 mA através do buraco DO-35