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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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UES1102SM

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Descrição: DIODE GEN PURP 100V 2.5A A-MELF

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2 μA @ 100 V
Temperatura de funcionamento - Junção:
150°C (máximo)
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
3.5pF @ 6V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A-MELF
Tempo de recuperação inverso (trr):
25 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
SQ-MELF, A
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
2.5A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
UES1102
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2 μA @ 100 V
Temperatura de funcionamento - Junção:
150°C (máximo)
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
3.5pF @ 6V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A-MELF
Tempo de recuperação inverso (trr):
25 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
SQ-MELF, A
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
2.5A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
UES1102
UES1102SM
Diodo 100 V 2,5 A Montador de superfície A-MELF