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Descrição: DIODE GEN PURP 1.8KV 1230A

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 mA @ 1800 V
Tipo de Montagem:
Aperte sobre
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.063 V @ 800 A
Pacote:
Caixa
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
-
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 180°C
Embalagem / Caixa:
DO-200AA, A-PUK
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1800 V
Corrente - média rectificada (Io):
1230A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
D1230N18
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 mA @ 1800 V
Tipo de Montagem:
Aperte sobre
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.063 V @ 800 A
Pacote:
Caixa
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
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Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 180°C
Embalagem / Caixa:
DO-200AA, A-PUK
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1800 V
Corrente - média rectificada (Io):
1230A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
D1230N18
D1230N18TXPSA1
Diodo 1800 V 1230A

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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