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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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NTE5829

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Descrição: Diodo GP 800V 50A

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
200 µA @ 800 V
Tipo de Montagem:
Montura do chassi
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 50 A
Pacote:
Saco
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Pressione ajustável
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 195°C
Embalagem / Caixa:
Pressione ajustável
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
800 V
Corrente - média rectificada (Io):
50A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
200 µA @ 800 V
Tipo de Montagem:
Montura do chassi
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 50 A
Pacote:
Saco
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Pressione ajustável
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 195°C
Embalagem / Caixa:
Pressione ajustável
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
800 V
Corrente - média rectificada (Io):
50A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
NTE5829
Diodo 800 V 50A Chassis Mount Press Fit