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Descrição: DIODE GEN PURP 12KV 750MA

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 12000 V
Tipo de Montagem:
Montura do chassi
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
14 V @ 350 mA
Pacote:
Saco
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
-
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-20°C ~ 135°C
Embalagem / Caixa:
módulo
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
12000 V
Corrente - média rectificada (Io):
750mA
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
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5 μA @ 12000 V
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14 V @ 350 mA
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12000 V
Corrente - média rectificada (Io):
750mA
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
NTE548
Diodo 12000 V 750 mA montado no chassi

Tags:

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