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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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VS-8EWS16S-M3

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Descrição: DIODE GEN PURP 1.6KV 8A TO252

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 μA @ 1600 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,1 V @ 8 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-252, (D-Pak)
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1600 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
8EWS16
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
50 μA @ 1600 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,1 V @ 8 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-252, (D-Pak)
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1600 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
8EWS16
VS-8EWS16S-M3
Diodo 1600 V 8A Montador de superfície TO-252, (D-Pak)