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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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IDW50E60FKSA1

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Descrição: DIODE GEN PURP 600V 80A TO247-3

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
40 μA @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2 V @ 50 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO247-3
Tempo de recuperação inverso (trr):
115 ns
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
80A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
IDW50E60
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
40 μA @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2 V @ 50 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO247-3
Tempo de recuperação inverso (trr):
115 ns
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
80A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
IDW50E60
IDW50E60FKSA1
Diodo 600 V 80A através do buraco PG-TO247-3