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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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SIC0860PL8-TP

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Descrição: DIODE SIL CARB 650V 8A DFN8080A

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
36 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.6 V @ 8 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
346 pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DFN8080A
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Micro Comercial
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
4-PowerVSFN
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
SIC0860
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
36 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.6 V @ 8 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
346 pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DFN8080A
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Micro Comercial
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
4-PowerVSFN
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
SIC0860
SIC0860PL8-TP
Diodo 650 V 8A Monte de superfície DFN8080A