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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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RGP10M

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Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.3 V @ 1 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
15pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-41
Tempo de recuperação inverso (trr):
500 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AL, DO-41, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1000 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
RGP10
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.3 V @ 1 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
15pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-41
Tempo de recuperação inverso (trr):
500 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AL, DO-41, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1000 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
RGP10
RGP10M
Diodo 1000 V 1A através do furo DO-41