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JANTX1N4150-1
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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 nA @ 50 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 200 mA
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/231
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Tempo de recuperação inverso (trr):
4 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corrente - média rectificada (Io):
200 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
Número do produto de base:
1N4150
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 nA @ 50 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 200 mA
Pacote:
BULK
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/231
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Tempo de recuperação inverso (trr):
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50 V
Corrente - média rectificada (Io):
200 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
Número do produto de base:
1N4150
JANTX1N4150-1
Diodo 50 V 200 mA através do buraco DO-35

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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