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IDW12G65C5XKSA1
IDW12G65C5XKSA1

IDW12G65C5XKSA1

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Descrição: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-3

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
190 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 12 A
Pacote:
Tubos
Série:
CoolSiC™+
Capacidade @ Vr, F:
360 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO247-3
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
12A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
IDW12G65
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
190 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 12 A
Pacote:
Tubos
Série:
CoolSiC™+
Capacidade @ Vr, F:
360 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO247-3
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
12A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
IDW12G65
IDW12G65C5XKSA1
Diodo 650 V 12A através do buraco PG-TO247-3

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

32 componentes eletrônicos mordidos do Oem do microcontrolador,

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