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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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SE40PDHM3_A/H

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Descrição: DIODE GEN PURP 200V 2.4A a 277A

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.05 V @ 4 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
Automotivo, AEC-Q101, eSMP®
Capacidade @ Vr, F:
28pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-277A (SMPC)
Tempo de recuperação inverso (trr):
2.2 μs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-277, 3-PowerDFN
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
2.4A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
SE40
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.05 V @ 4 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
Automotivo, AEC-Q101, eSMP®
Capacidade @ Vr, F:
28pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-277A (SMPC)
Tempo de recuperação inverso (trr):
2.2 μs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-277, 3-PowerDFN
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
2.4A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
SE40
SE40PDHM3_A/H
Diodo de 200 V 2,4 A montado na superfície TO-277A (SMPC)