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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 100MA DO35

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 nA @ 50 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
700 mV @ 1 mA
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
5pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Tempo de recuperação inverso (trr):
20 ns
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Temperatura de funcionamento - Junção:
200°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corrente - média rectificada (Io):
100 mA
Tecnologia:
Padrão
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 nA @ 50 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
700 mV @ 1 mA
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
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Tempo de recuperação inverso (trr):
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Temperatura de funcionamento - Junção:
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Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corrente - média rectificada (Io):
100 mA
Tecnologia:
Padrão
1SS54
Diodo 50 V 100 mA através do buraco DO-35

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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