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Descrição: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A LPTL

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
60 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.5 V @ 12 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
600 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
LPTL
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Semicondutores Rohm
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
12A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
SCS312
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
60 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.5 V @ 12 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
600 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
LPTL
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Semicondutores Rohm
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
12A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
SCS312
SCS312AJTLL
Diodo 650 V 12A montado na superfície LPTL

Tags:

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