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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N4607

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Descrição: DIODE GEN PURP 85V 200MA DO35

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 μA
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.1 V @ 400 mA
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Tempo de recuperação inverso (trr):
10 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 200°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
85 V
Corrente - média rectificada (Io):
200 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
Número do produto de base:
1N4607
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 μA
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.1 V @ 400 mA
Pacote:
BULK
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-35
Tempo de recuperação inverso (trr):
10 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 200°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
85 V
Corrente - média rectificada (Io):
200 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
Número do produto de base:
1N4607
1N4607
Diodo 85 V 200 mA através do buraco DO-35