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Descrição: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
µA 240 @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,55 V @ 12 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
438 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220FM
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Semicondutores Rohm
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
Bloco TO-220-2 completo
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
12A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
SCS215
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
µA 240 @ 600 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,55 V @ 12 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
438 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220FM
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Semicondutores Rohm
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
Bloco TO-220-2 completo
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
12A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
SCS215
SCS215AMC
Diodo 650 V 12A através do buraco TO-220FM

Tags:

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