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Descrição: DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos | Estatuto do produto: | Atividade | Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 5 μA @ 200 V | Tipo de Montagem: | Através do Furo | Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 950 mV @ 4 A | Pacote: | Corte a fita (os CT)
Fita & caixa (TB) | Série: | - | Capacidade @ Vr, F: | 20pF @ 4V, 1MHz | Pacote de dispositivos do fornecedor: | DO-201AD | Tempo de recuperação inverso (trr): | 30 ns | Mfr: | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Tecnologia: | Padrão | Temperatura de funcionamento - Junção: | -55°C ~ 150°C | Embalagem / Caixa: | DO-201AD, axial | Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): | 200 V | Corrente - média rectificada (Io): | 4a | Velocidade: | Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io) | Número do produto de base: | UG4 | 
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos | 
| Estatuto do produto: | Atividade | 
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 5 μA @ 200 V | 
| Tipo de Montagem: | Através do Furo | 
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 950 mV @ 4 A | 
| Pacote: | Corte a fita (os CT)
Fita & caixa (TB) | 
| Série: | - | 
| Capacidade @ Vr, F: | 20pF @ 4V, 1MHz | 
| Pacote de dispositivos do fornecedor: | DO-201AD | 
| Tempo de recuperação inverso (trr): | 30 ns | 
| Mfr: | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | 
| Tecnologia: | Padrão | 
| Temperatura de funcionamento - Junção: | -55°C ~ 150°C | 
| Embalagem / Caixa: | DO-201AD, axial | 
| Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): | 200 V | 
| Corrente - média rectificada (Io): | 4a | 
| Velocidade: | Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io) | 
| Número do produto de base: | UG4 |