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A partir de 1 de janeiro de 2014, a taxa de utilização do sistema de controlo de desempenho deve ser fixada no valor normal.

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Descrição: DIODE GEN PURP 2KV 320A MAGNAPAK

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Descrição do produto

Destacar:

Categoria:	Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos	Estatuto do produto:	Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:	50 mA @ 2000 V	Temperatura de funcionamento - Junção:	-40°C ~ 150°C
Tipo de Montagem:	Montura do chassi	Pacote:	BULK
Série:	-	Capacidade @ Vr, F:	-
Pacote de dispositivos do fornecedor:	MAGN-A-PAK®	Mfr:	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:	Padrão	Embalagem / Caixa:	3-MAGN-A-PAKTM
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):	2000 V	Corrente - média rectificada (Io):	320A
Velocidade:	Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)	Número do produto de base:	VSKE320

Categoria:	Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:	Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:	50 mA @ 2000 V
Temperatura de funcionamento - Junção:	-40°C ~ 150°C
Tipo de Montagem:	Montura do chassi
Pacote:	BULK
Série:	-
Capacidade @ Vr, F:	-
Pacote de dispositivos do fornecedor:	MAGN-A-PAK®
Mfr:	Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:	Padrão
Embalagem / Caixa:	3-MAGN-A-PAKTM
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):	2000 V
Corrente - média rectificada (Io):	320A
Velocidade:	Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:	VSKE320