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D1131SH65TXPSA1
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Descrição: DIODE GEN PURP 6.5KV 1100A

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
150 mA @ 6500 V
Tipo de Montagem:
Montura do chassi
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
5,6 V @ 2500 A
Pacote:
Caixa
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
-
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
0°C ~ 140°C
Embalagem / Caixa:
DO-200AE
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
6500 V
Corrente - média rectificada (Io):
1100A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
D1131SH65
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
150 mA @ 6500 V
Tipo de Montagem:
Montura do chassi
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
5,6 V @ 2500 A
Pacote:
Caixa
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
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Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
0°C ~ 140°C
Embalagem / Caixa:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
6500 V
Corrente - média rectificada (Io):
1100A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
D1131SH65
D1131SH65TXPSA1
Diodo 6500 V 1100A montado no chassi

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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