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VS-10ETF12SLHM3
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Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 1,2KV 10A TO263AB

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.33 V @ 10 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
Automóveis, AEC-Q101
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-263AB (D2PAK)
Tempo de recuperação inverso (trr):
310 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
10A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
10ETF12
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.33 V @ 10 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
Automóveis, AEC-Q101
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-263AB (D2PAK)
Tempo de recuperação inverso (trr):
310 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
10A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
10ETF12
VS-10ETF12SLHM3
Diodo 1200 V 10A montado na superfície TO-263AB (D2PAK)

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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