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IDP30E65D2XKSA1
IDP30E65D2XKSA1

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Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GP 650V 60A TO220-2-1

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
40 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2.2 V @ 30 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO220-2-1
Tempo de recuperação inverso (trr):
42 ns
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
60A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
IDP30E65
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
40 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2.2 V @ 30 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PG-TO220-2-1
Tempo de recuperação inverso (trr):
42 ns
Mfr:
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Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
60A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
IDP30E65
IDP30E65D2XKSA1
Diodo 650 V 60 A através do buraco PG-TO220-2-1

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

32 componentes eletrônicos mordidos do Oem do microcontrolador,

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