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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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BAS516, L3F

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Descrição: DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
200 nA @ 80 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,25 V @ 150 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
0.35pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
C.E.C.
Tempo de recuperação inverso (trr):
3 ns
Mfr:
Toshiba Semicondutores e Armazenamento
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
150°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
SC-79, SOD-523
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
250 mA
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
BAS516
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
200 nA @ 80 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1,25 V @ 150 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
0.35pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
C.E.C.
Tempo de recuperação inverso (trr):
3 ns
Mfr:
Toshiba Semicondutores e Armazenamento
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
150°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
SC-79, SOD-523
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
100 V
Corrente - média rectificada (Io):
250 mA
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
BAS516
BAS516, L3F
Diodo 100 V 250 mA Montador de superfície ESC