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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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SIC10120PTA-BP

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Descrição: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A a 247AD

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.8 V @ 10 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
750 pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247AD
Mfr:
Micro Comercial
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
10A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
SIC10120
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.8 V @ 10 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
750 pF @ 0V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247AD
Mfr:
Micro Comercial
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
10A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
SIC10120
SIC10120PTA-BP
Diodo 1200 V 10A através do buraco TO-247AD