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Casa > produtos > Componentes eletrônicos CI > VS-MURB820-1-M3
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VS-MURB820-1-M3
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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 8A TO262AA

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
975 mV @ 8 A
Pacote:
Tubos
Série:
FRED Pt®
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-262AA
Tempo de recuperação inverso (trr):
35 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-262-3 conduz por muito tempo, mim ² Pak, TO-262AA
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
MURB820
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
975 mV @ 8 A
Pacote:
Tubos
Série:
FRED Pt®
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-262AA
Tempo de recuperação inverso (trr):
35 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-262-3 conduz por muito tempo, mim ² Pak, TO-262AA
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
MURB820
VS-MURB820-1-M3
Diodo 200 V 8A através do buraco TO-262AA

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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