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SE30DT12HM3/I
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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODE GEN PURP 1,2KV 30A SMPD

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.29 V @ 30 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
Automotivo, AEC-Q101, eSMP®
Capacidade @ Vr, F:
132pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SMPD
Tempo de recuperação inverso (trr):
3,4 μs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variante
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
30A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
SE30DT12
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.29 V @ 30 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
Automotivo, AEC-Q101, eSMP®
Capacidade @ Vr, F:
132pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SMPD
Tempo de recuperação inverso (trr):
3,4 μs
Mfr:
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Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
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Embalagem / Caixa:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variante
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
30A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
SE30DT12
SE30DT12HM3/I
Diodo 1200 V 30A SMPD de montagem de superfície

Tags:

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