Detalhes do produto
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Descrição: DIODE GEN PURP 400V 2.9A a 277A
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
Estatuto do produto: |
Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: |
20 μA @ 400 V |
Tipo de Montagem: |
Montagem de superfície |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): |
1.05 V @ 7 A |
Pacote: |
Tape & Reel (TR) |
Série: |
Automotivo, AEC-Q101, eSMP® |
Capacidade @ Vr, F: |
76 pF @ 4V, 1MHz |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
TO-277A (SMPC) |
Tempo de recuperação inverso (trr): |
2.6 μs |
Mfr: |
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos |
Tecnologia: |
Padrão |
Temperatura de funcionamento - Junção: |
-55°C ~ 175°C |
Embalagem / Caixa: |
TO-277, 3-PowerDFN |
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): |
400 V |
Corrente - média rectificada (Io): |
2.9A |
Velocidade: |
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io) |
Número do produto de base: |
SE70 |
Categoria: |
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
Estatuto do produto: |
Atividade |
Corrente - vazamento inverso @ Vr: |
20 μA @ 400 V |
Tipo de Montagem: |
Montagem de superfície |
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): |
1.05 V @ 7 A |
Pacote: |
Tape & Reel (TR) |
Série: |
Automotivo, AEC-Q101, eSMP® |
Capacidade @ Vr, F: |
76 pF @ 4V, 1MHz |
Pacote de dispositivos do fornecedor: |
TO-277A (SMPC) |
Tempo de recuperação inverso (trr): |
2.6 μs |
Mfr: |
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos |
Tecnologia: |
Padrão |
Temperatura de funcionamento - Junção: |
-55°C ~ 175°C |
Embalagem / Caixa: |
TO-277, 3-PowerDFN |
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo): |
400 V |
Corrente - média rectificada (Io): |
2.9A |
Velocidade: |
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io) |
Número do produto de base: |
SE70 |