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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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EM 1BV1

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Descrição: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
20 μA @ 800 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.05 V @ 1 A
Pacote:
Corte a fita (os CT) Fita & caixa (TB)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
-
Mfr:
Sanken Electric EUA Inc.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
800 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
EM 1
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
20 μA @ 800 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.05 V @ 1 A
Pacote:
Corte a fita (os CT) Fita & caixa (TB)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
-
Mfr:
Sanken Electric EUA Inc.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
800 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
EM 1
EM 1BV1
Diodo 800 V 1A através do buraco