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Casa > produtos > Componentes eletrônicos CI > HERAF808G
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HERAF808G
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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: DIODO GEN PURP 1KV 8A ITO220AC

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 1000 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 8 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
60pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
ITO-220AC
Tempo de recuperação inverso (trr):
80 ns
Mfr:
Taiwan Semicondutor Corporaçõ
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
Bloco TO-220-2 completo
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1000 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
HERAF808
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 1000 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 8 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
60pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
ITO-220AC
Tempo de recuperação inverso (trr):
80 ns
Mfr:
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Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
Bloco TO-220-2 completo
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1000 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
HERAF808
HERAF808G
Diodo 1000 V 8A através do buraco ITO-220AC

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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