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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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NTE110A

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Descrição: DIODE GEN PURP 30V 150MA DO7

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
65 µA @ 10 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 5 mA
Pacote:
Saco
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-7
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 85°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AA, DO-7, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
30 V
Corrente - média rectificada (Io):
150 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
65 µA @ 10 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1 V @ 5 mA
Pacote:
Saco
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-7
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 85°C
Embalagem / Caixa:
DO-204AA, DO-7, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
30 V
Corrente - média rectificada (Io):
150 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
NTE110A
Diodo 30 V 150mA Through Hole DO-7