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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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STTH810FP

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Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220FPAC

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2 V @ 8 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220FPAC
Tempo de recuperação inverso (trr):
85 ns
Mfr:
STMicroelectrónica
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
TO-220-2 Pacote completo, comprimido isolado
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1000 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
STTH810
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
2 V @ 8 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220FPAC
Tempo de recuperação inverso (trr):
85 ns
Mfr:
STMicroelectrónica
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
TO-220-2 Pacote completo, comprimido isolado
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1000 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
STTH810
STTH810FP
Diodo 1000 V 8A através do buraco TO-220FPAC