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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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VS-2EFH02HM3/I

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Descrição: DIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2 μA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
950 mV @ 2 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
Automóveis, AEC-Q101, FRED Pt®
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-219AB (SMF)
Tempo de recuperação inverso (trr):
25 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-219AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
2A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
2EFH02
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
2 μA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
950 mV @ 2 A
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Série:
Automóveis, AEC-Q101, FRED Pt®
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-219AB (SMF)
Tempo de recuperação inverso (trr):
25 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-219AB
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
2A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
2EFH02
VS-2EFH02HM3/I
Diodo 200 V 2A montado na superfície DO-219AB (SMF)