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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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VS-C40CP07L-M3

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Descrição: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Obsoletos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
µA 100 @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 20 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
1040pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220AC
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
20A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
C40CP07
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Obsoletos
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
µA 100 @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 20 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
1040pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220AC
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
20A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
C40CP07
VS-C40CP07L-M3
Diodo 650 V 20A através do buraco TO-220AC