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NXPSC08650X6Q
NXPSC08650X6Q

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Descrição: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A a 220F

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
A última vez que comprei
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
230 µA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 8 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
260pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220F
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Semicondutores de WeEn
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
TO-220-2 Pacote completo, comprimido isolado
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
NXPSC
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
A última vez que comprei
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
230 µA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 8 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
260pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
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Tempo de recuperação inverso (trr):
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Embalagem / Caixa:
TO-220-2 Pacote completo, comprimido isolado
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
NXPSC
NXPSC08650X6Q
Diodo 650 V 8A através do buraco TO-220F

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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