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NXPSC066506Q
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Descrição: DIODO SIC CARB 650V 6A TO220AC

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
A última vez que comprei
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
200 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 6 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
190 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220AC
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
Semicondutores de WeEn
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
TO-220-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
6A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
NXPSC
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
A última vez que comprei
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
200 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.7 V @ 6 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
190 pF @ 1V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220AC
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
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Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
175°C (máximo)
Embalagem / Caixa:
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Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
6A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
NXPSC
NXPSC066506Q
Diodo 650 V 6A através do buraco TO-220AC

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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