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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N5402GP-AP

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Descrição: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.1 V @ 3 A
Pacote:
Caixa e fita (TB)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
40pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-201AD
Mfr:
Micro Comercial
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
DO-201AD, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N5402
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.1 V @ 3 A
Pacote:
Caixa e fita (TB)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
40pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-201AD
Mfr:
Micro Comercial
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
DO-201AD, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
3A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N5402
1N5402GP-AP
Diodo 200 V 3A através do buraco DO-201AD