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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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NDSH20120C

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Descrição: DIODE SIL CARB 1.2KV 26A TO247-2

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
µA 200 @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.75 V @ 20 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
1480 pF @ 1V, 100 kHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
26A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
µA 200 @ 1200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.75 V @ 20 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
1480 pF @ 1V, 100 kHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247-2
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
TO-247-2
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
26A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
NDSH20120C
Diodo 1200 V 26A Through Hole TO-247-2