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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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FFSPF0865A

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Descrição: DIODE SIC 650V 8A TO220F-2FS

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Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
A última vez que comprei
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
200 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.75 V @ 8 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
463 pF @ 1V, 100 kHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220F-2FS
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
Bloco TO-220-2 completo
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
FFSPF0865
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
A última vez que comprei
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
200 μA @ 650 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.75 V @ 8 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
463 pF @ 1V, 100 kHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220F-2FS
Tempo de recuperação inverso (trr):
0 n
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Sic (carboneto de silicone) Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
Bloco TO-220-2 completo
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Não há tempo de recuperação > 500 mA (Io)
Número do produto de base:
FFSPF0865
FFSPF0865A
Diodo 650 V 8A através do buraco TO-220F-2FS