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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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MPG06D-E3/100

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Descrição: DIODO GEN PURP 200V 1A MPG06

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Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.1 V @ 1 A
Pacote:
Caixa e fita (TB)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
10pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
MPG06
Tempo de recuperação inverso (trr):
600 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
MPG06, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
MPG06
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 200 V
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.1 V @ 1 A
Pacote:
Caixa e fita (TB)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
10pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
MPG06
Tempo de recuperação inverso (trr):
600 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
MPG06, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
MPG06
MPG06D-E3/100
Diodo 200 V 1A através do buraco MPG06