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Descrição: DIODE GEN PURP 10V 65MA 7SIP

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Temperatura de funcionamento - Junção:
85°C (máximo)
Tipo de Montagem:
Através do Furo
Pacote:
Saco
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
7-SIP
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Tecnologia:
Padrão
Embalagem / Caixa:
7 - SIP formados por chumbo
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
10 V
Corrente - média rectificada (Io):
65 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
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Pacote de dispositivos do fornecedor:
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Embalagem / Caixa:
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10 V
Corrente - média rectificada (Io):
65 mA
Velocidade:
Signo pequeno = < 200 mA (Io), qualquer velocidade
NTE120
Diodo 10 V 65 mA através do buraco 7-SIP

Tags:

Componentes eletrônicos do Oem STM32L073V8T6,

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